「铭镓半导体」2英寸半导体氧化镓材料即将量产，主要应用于大功率电子器件领域

作者：许跃鑫

编辑：石亚琼

超宽禁带半导体氧化镓材料及器材生产商「铭镓半导体」成立于2020年，专注于新型超宽禁带半导体材料氧化镓单晶、外延衬底和高频大功率器件嘅制造，是国内第一家将半导体氧化镓材料产业化落地嘅企业。公司创始人兼CEO陈政委是国立日本佐贺大学九州同步光辐射中心嘅工学博士，喺日本攻读硕士和博士期间便选择‌氧化镓材料方向。团队还包括来自东京大学、九州大学、东京工业大学嘅博士或教授以及来自露笑科技、森霸传感嘅拥有丰富产业经验嘅总监型高级工程师。

半导体材料位于半导体产业链嘅上游，经历‌三次迭代，从第一代嘅硅、第二代嘅砷化镓和砷化铟到第三代嘅碳化硅和氮化镓。硅因为导热性良好、自然储备丰富、价格低廉，得到‌广泛嘅应用。但因为硅禁带宽度窄、击穿电场较低，喺高频、大功率器件领域应用受限。于是禁带宽度更宽、击穿电场更高、电子迁移率更高、抗辐射能力更强、适用于高频、大功率器件嘅第二代、第三代材料开始进入市场，得到应用。

氧化镓系一种超宽禁带半导体材料，具有优良嘅化学和热稳定性，喺高温、大功率、抗辐射电子器件领域有广泛嘅应用前景。2012年日本首先实现2英寸氧化镓材料嘅突破，跟据「铭镓半导体」提供嘅数据，氧化镓嘅击穿场强是第三代半导体材料碳化硅嘅3.2倍，巴利加优值是其10倍左右。氧化镓禁带宽度能达到4.9-5.3eV，而成本仅为碳化硅嘅1/8。

「铭镓半导体」嘅氧化镓材料将被应用于新能源汽车、汽车充电桩、工业电机、固态能源转变、国防军工等领域。

转载获悉，「铭镓半导体」目前营收规模数百万元，毛利率高于70%。预计今年8月其2英寸产品就能实现量产，2021年营收有望达到2000万元。

半导体材料行业需要大量嘅前期投入，工艺要求较高且突破较难，行业人才缺乏，具有较高嘅竞争壁垒。由于生产难度大、技术壁垒高和进入时间晚，我国嘅碳化硅、硅、氮化镓等半导体材料落后于国际厂商，半导体材料嘅国产化率较低，市场基本被欧美日等国和中国台湾地区嘅企业所垄断，进口依赖较强。

日本方面，京都大学投资嘅Flosfia、NICT和田村制作所投资嘅Novel Crystal是最领先嘅氧化镓供应商。日本经济产业省（METI）计划为致力于开发新一代低能耗半导体材料“氧化镓”嘅私营企业和大学提供财政支持，已投入超过8560万美元，大力发展日本氧化镓材料及功率半导体器件产业。另据日本富士经济预测，2025年日本本土氧化镓功率半导体器件市场将达到700亿日元（约合42亿人民币）并以指数级逐年增长，日本三菱电机、丰田、FUJIMI、田村、电装、光波等纷纷投入大量人力物力进入氧化镓赛道。

陈政委认为半导体氧化镓材料将是我国半导体材料领跑行业嘅重要机会，预计需求会喺未来5-10年爆发。目前「铭镓半导体」喺半导体氧化镓材料领域位于国际第一梯队，领先欧美3-5年，预计喺2022年或者2023年便能接呢排本嘅技术水平。

半导体氧化镓材料嘅主要应用领域是大功率电子器件，同碳化硅嘅应用场景重合。目前市场上嘅半导体碳化硅材料生产商有山东天岳、天科合达、同光晶体等企业。半导体碳化硅嘅下游应用企业较为集度，包括比亚迪、中车、国家电网等。

据悉，「铭镓半导体」正喺寻求新一轮融资。陈政委讲畀转载，呢轮融资资金将用于扩大产能、增加研发投入、拓展市场等方面。